單晶硅壓力（差壓）變送器如何確保測(cè)量精度

   單晶硅差壓變送器是20世紀(jì)80年代研制開發(fā)的新式差壓變送器，它運(yùn)用單晶硅諧振傳感器，選用微電子外表加工技能，還可結(jié)束反抗靜壓、溫飄對(duì)其影響。因?yàn)榕鋫淞说驮肼曊{(diào)制解調(diào)器和開放式通訊協(xié)議，現(xiàn)在的單晶硅差壓變送器可結(jié)束數(shù)字無(wú)損耗信號(hào)傳輸。

   單晶硅壓力傳感器具有高精度和高穩(wěn)定性，通常能夠達(dá)到±0.075%FS（滿量程）或更高。制造過(guò)程中采用微米級(jí)別的加工技術(shù)，使其具備高精度和高穩(wěn)定性。此外，單晶硅材料本身具有優(yōu)異的物理性質(zhì)，如高強(qiáng)度、高硬度、高耐腐蝕性等，也保證了傳感器的精度和穩(wěn)定性。

此外，單晶硅壓力傳感器還具有大量程遷移比的特點(diǎn)，可在較大的壓力范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量。因此，在工業(yè)控制、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。需要注意的是，傳感器的精度受到多種因素的影響，如溫度、濕度和壓力等。因此，在使用過(guò)程中需要定期校準(zhǔn)和維護(hù)，以保證其精度和穩(wěn)定性。

   單晶硅電阻器式控制器的輸出協(xié)調(diào)性高、信號(hào)量大、回差很小，而且電路原理比較簡(jiǎn)約靠譜，因此國(guó)際性上較多智能變送器生產(chǎn)商優(yōu)先選擇選用此計(jì)劃方案開展高檔智能變送器的產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)制造。可是較之中文談及的金屬材料電容式傳感器和單晶硅串聯(lián)諧振式控制器， 單晶硅電阻器集成ic的運(yùn)用具備比較獨(dú)特的加工工藝規(guī)定。具體表現(xiàn)在

芯片的無(wú)地應(yīng)力封裝技術(shù)性和硅塑料薄膜的單邊過(guò)壓保護(hù)技術(shù)性層面。這兩項(xiàng)運(yùn)用技術(shù)性在2000年以前緊緊把握在西方國(guó)家資本主義國(guó)家手上，從2013年之后，麥德勝電氣設(shè)備（我國(guó)）有限責(zé)任公司根據(jù)從英國(guó)MADSHEN國(guó)際貿(mào)易公司的技術(shù)性協(xié)作、引入和再產(chǎn)品研發(fā)，最后充足把握了多選有關(guān)技術(shù)性，因而保持了高可靠性硅工作壓力、差

變送器在中國(guó)規(guī)模性生產(chǎn)制造，MDSGP100系列產(chǎn)品和MDSDP系列產(chǎn)品的高可靠性單晶硅智能變送器的精確度基礎(chǔ)理論級(jí)別超過(guò)了0.05級(jí)，一切正常可超過(guò)0.075級(jí)，徹底超過(guò)乃至超出了左右海外著名品牌的智能變送器。

   橫河EJA系列單晶硅諧振式變送器，較之電容式傳感器其生產(chǎn)過(guò)程中的制造成本控制有一定的優(yōu)勢(shì)。主要的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在溫度和靜壓補(bǔ)償環(huán)節(jié)中，即：雙諧振回路的原始差動(dòng)信號(hào)輸出，而此差動(dòng)信號(hào)不被溫度和靜壓的影響，因此對(duì)于后期的變送器的溫度補(bǔ)償和靜壓補(bǔ)償?shù)裙ば颦h(huán)節(jié)操作較為簡(jiǎn)便。其最終的準(zhǔn)確度等級(jí)到達(dá)0.065級(jí)，稍遜色于羅斯蒙

3051C/S系列。但是由于單晶硅諧振梁芯片的批量生產(chǎn)技術(shù)被日本橫河公司壟斷，這種單晶硅諧振梁芯片所帶來(lái)的技術(shù)難度和技術(shù)壁壘，同樣不能有效地被中國(guó)本土企業(yè)突破，因此幾乎所有的中國(guó)制造廠商均放棄了單晶硅諧振式變送器的進(jìn)一步探索和研究。

第三種為德國(guó)、瑞士為代表的單晶硅電阻式壓力、差壓變送器。其工作原理為：外界壓差傳遞到內(nèi)部的單晶硅全動(dòng)態(tài)的壓阻效應(yīng)惠斯登電橋，惠斯頓電橋在壓力的作用下產(chǎn)生一個(gè)跟隨壓力變化的電壓信號(hào)輸出，將這個(gè)電壓信號(hào)通過(guò)電子電路收集、放大和軟件補(bǔ)償處理后，就得到壓力信號(hào)的線性輸出。